R&D Engineer (m/w/d) IGBT (Resident Engineer)

ARBEIT
Vollzeit
R&D Engineer (m/w/d) IGBT (Resident Engineer) in Lampertheim, Hessen

R&D Engineer (m/w/d) IGBT (Resident Engineer) in Lampertheim, Hessen, Deutschland

Stellenangebot als Resident Engineer in Lampertheim, Hessen , Hessen, Deutschland

Stellenbeschreibung

 
R&D Engineer (m/w/d) IGBT

Herzlich Willkommen bei spp direkt.

Als Spezialisten für die Jobsuche bieten wir Bewerbern attraktive Jobs mit interessanten Aufgaben in angesehenen Unternehmen.

Du suchst eine neue Herausforderung als  R&D Engineer (m/w/d) IGBT?

Dann bist Du bei unserem Kunden in Lampertheim genau richtig! Denn wir suchen DICH als zuverlässigen R&D Engineer (m/w/d) IGBT .

Wir bieten dir:

- Branchenzuschläge und Übertarifliche Bezahlung
- Sonderzahlungen wie Urlaubs- und Weihnachtsgeld sowie leistungsabhängige Prämien
- Bis zu 30 Tagen Urlaub (je nach Betriebszugehörigkeit)
- „Mitarbeiter werben Mitarbeiter“ Prämien bis zu 1000 Euro
- Unbefristetes Arbeitsverhältnis
- Gute Übernahmemöglichkeiten bei unseren Kunden
- Leistungsgerechte Vergütung (min. nach iGZ/DGB-Tarif)
- Regelmäßige tarifliche Lohnerhöhungen
- Persönliche Betreuung durch unser kompetentes Team
- 24 Stunden Hotline – wir sind für Dich immer erreichbar
- Kostenlose Bereitstellung hochwertiger Arbeitskleidung und Schutzausrüstung

Deine Aufgaben:

- Design und technologische Entwicklung von Hochspannungs-Silizium-Leistungsbauelementen der nächsten Generation.
- Generieren Sie neue Ideen für Gerätestrukturen und Herstellungsverfahren und bewerten Sie diese durch Analyse des Versuchsdesigns
- Arbeiten Sie mit Wafer-Foundry-Partnern zusammen, um die Produktionsreife der neuen Designs und Prozesse zu erreichen
- Arbeiten Sie mit dem Montageteam zusammen, um eine langfristige Zuverlässigkeit in verschiedenen Gehäuseformaten sicherzustellen, was Fehleranalysen und Diagnosen auf Chip- und Gehäuseebene erfordert
- Andere Pflichten, die sich im Laufe des Arbeitsverhältnisses ergeben können

Dein Profil:

- Masterabschluss in einem technischen Bereich
- Mehr als 3 Jahre Erfahrung im Design von Leistungshalbleitern, vorzugsweise IGBTs und/oder MOSFETs
- Kenntnisse und Erfahrungen aus erster Hand mit IGBT- oder MOSFET-Prozessen und Gerätelayout
- Erfahrung in TCAD-Simulationen, Testen und Charakterisieren, Halbleiter-Packaging wäre ein Plus
- Fließendes Englisch und die Fähigkeit, selbstständig in einem interkulturellen Arbeitsumfeld zu arbeiten.
- Sehr gute analytische und numerische Fähigkeiten

Hinweis: Sämtliche Bezeichnungen richten sich an alle Geschlechter.

Kontaktdaten für Stellenanzeige
Du möchtest wechseln? Das bleibt unter uns!

Herr Rouven Schmitz
spp direkt Darmstadt GmbH - Niederlassung Worms
Siegfriedstraße 44
67547 Worms 

E-Mail: <a href="[email protected]" target="_blank" rel="nofollow">[email protected]</a>
Telefon: 06241/977386-0
WhatsApp: 0176/29383368

Du möchtest schnell und einfach zu uns Kontakt aufnehmen?
Dann schreib uns eine WhatsApp! Einfach, oder?

- Schritt 1: Speichere unsere Nummer 0176/29383368
- Schritt 2: Name/Wohnort/wo und als was Du dich bewerben möchtest
- Schritt 3: Wir melden uns umgehend bei Dir!

Auf Wunsch kann jedes Kennenlerngespräch auch per Videoübertragung geführt werden.

Wir freuen uns auf Deine Bewerbung.
Europa.eu

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Vollzeit
Hessen
Deutschland

Anfangsdatum

2024-04-22

spp direkt Darmstadt GmbH Niederlassung Worms

Herr Rouven Schmitz

Siegfriedstraße 44

67547

68623, Lampertheim, Hessen, Hessen, Deutschland

spp direkt Darmstadt GmbH Niederlassung Worms Logo
Veröffentlicht:
2024-04-22
UID | BB-6625c8ea89166-6625c8ea89167
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- „Mitarbeiter werben Mitarbeiter“ Prämien bis zu 1000 Euro
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- Leistungsgerechte Vergütung (min. nach iGZ/DGB-Tarif)
- Regelmäßige tarifliche Lohnerhöhungen
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- Generieren Sie neue Ideen für Gerätestrukturen und Herstellungsverfahren und bewerten Sie diese durch Analyse des Versuchsdesigns
- Arbeiten Sie mit Wafer-Foundry-Partnern zusammen, um die Produktionsreife der neuen Designs und Prozesse zu erreichen
- Arbeiten Sie mit dem Montageteam zusammen, um eine langfristige Zuverlässigkeit in verschiedenen Gehäuseformaten sicherzustellen, was Fehleranalysen und Diagnosen auf Chip- und Gehäuseebene erfordert
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Dein Profil:

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- Mehr als 3 Jahre Erfahrung im Design von Leistungshalbleitern, vorzugsweise IGBTs und/oder MOSFETs
- Kenntnisse und Erfahrungen aus erster Hand mit IGBT- oder MOSFET-Prozessen und Gerätelayout
- Erfahrung in TCAD-Simulationen, Testen und Charakterisieren, Halbleiter-Packaging wäre ein Plus
- Fließendes Englisch und die Fähigkeit, selbstständig in einem interkulturellen Arbeitsumfeld zu arbeiten.
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Ergänzende Informationen:
Anforderungen an den Bewerber:
Erweiterte Kenntnisse: Analyse, Elektrotechnik, Halbleitertechnik, Entwurf

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