Promotion im Bereich Quantencomputing - Charakterisierung von Bauelementen (Physiker/in)

Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 000  Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 2,9 Milliarden Euro.
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III/V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund.
Für das Ziel eines generalistischen Quantencomputers und dessen weltbewegenden, industriellen Anwendung bedarf es Quantenprozessoren mit Millionen von Qubits - Skalierbarkeit ist das Thema. Ein Transfer vom akademischen hin zur industriellen Fertigung von Qubits unter Nutzung der Halbleiterindustrie ist notwendig.
Das Fraunhofer IAF ist in diesem Transferprozess mit dem neu aufgebauten und etablierten kryogenen Wafer Prober Labor involviert. Hier führen wir die kryostatistische Charakterisierung von Bauelementen des Quantencomputings bzw. von Peripherie (kryogene Elektronik) auf Halbleiter- und Supraleiter-Basis auf ganzen Wafern durch. Ziel ist ein tieferes qualitatives und quantitatives Verständnis für Validierung, Parameterbestimmung und Selektion.

Was Sie bei uns tun

- Sie betreiben kryostatistische Charakterisierung, Forschung und Analyse an halb- und supraleiterbasierten Bauelementen des Quantencomputings.
- Dazu beschäftigen Sie sich unter anderem mit FETs, SETs, Dot- und Shuttel-Strukturen sowie Josephson-Kontakten.
- In diesem Zuge automatisieren Sie die benötigte Messtechnik bei tiefen Temperaturen von wenigen Kelvin und entwickeln bestehende Messverfahren weiter.
- Sie sind eingebunden in spannende Forschungsprojekte mit internationalen Partnern.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen - unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet.
Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.
Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich über den "Jetzt bewerben"- Button mit Ihrem Lebenslauf, einem Anschreiben und Ihren Zeugnissen. Bitte beachten Sie, dass wir keine Bewerbungen per Mail berücksichtigen können. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!

Was Sie mitbringen

- Sie verfügen über ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) der Fachrichtungen Physik, Elektrotechnik, Informatik oder einer vergleichbaren Fachrichtung.
- Sie bringen fundierte Kenntnisse im Bereich der Festkörperphysik und der Quanten-Bauelemente mit.
- Sie haben Interesse und idealerweise erste Erfahrung auf dem Gebiet elektronischer Halbleiter und Supraleiter Bauelementen wie deren Herstellung und Analytik im Kontext von quantentechnologischen Anwendungen
- Bestenfalls haben Sie schon Kenntnisse auf dem Gebiet der kryogenen Charakterisierung von Elektrischen-Bauelemente und bringen auch fundierte Programmierkenntnisse (Python) mit.
- Sie besitzen die Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten sowie eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise.
- Gute Englischkenntnisse, Team- und Kommunikationsfähigkeit und Freude an experimenteller Arbeit zeichnen Sie zudem aus.

Was Sie erwarten können

- Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
- Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten
- Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
- 100 % Vergütung nach TVöD
- Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
- Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen

Fragen zu dieser Ausschreibung und zum Bewerbungsprozess beantwortet Ihnen gerne:
Maria Boerner
[email protected]

Fraunhofer IAF
Personalabteilung
Tullastraße 72
79108 Freiburg

Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 000  Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 2,9 Milliarden Euro.
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische und optoelektronische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Kommunikation und Mobilität im Vordergrund.
Was Sie bei uns tun

- Ihre Aufgaben sind die Entwicklung, der Entwurf, das Layout, der Aufbau sowie die Charakterisierung von Hochfrequenz-Schaltungen, Modulen und Subsystemen im Frequenzbereich von 0,1 GHz bis zu 700 GHz für Sensorsysteme, Kommunikationsanwendungen und die Raumfahrt.

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen - unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet.
Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.
Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich über den "Jetzt bewerben"- Button mit Ihrem Lebenslauf, einem Anschreiben und Ihren Zeugnissen. Bitte beachten Sie, dass wir keine Bewerbungen per Mail berücksichtigen können. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!
Was Sie mitbringen

- Ein erfolgreich abgeschlossenes Studium in einem Diplom- oder Masterstudiengang der Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik, idealerweise mit Promotion und mehrjähriger Berufserfahrung.
- Erfahrungen in der Akquise und Leitung von Forschungsprojekten.
- Sehr gute Kenntnisse in Hoch- und Höchstfrequenzelektronik, sowie der dazugehörigen Messtechnik.
- Erfahrungen auf dem Gebiet der Hochfrequenz-Schaltungsentwicklung, idealerweise von integrierten Schaltungen.
- Kenntnisse im Umgang mit Schaltungssimulationsprogrammen und EM-Simulationstools (z. B. ADS, CST, HFSS, Momentum).
- Sehr gute Deutsch und Englischkenntnisse in Wort und Schrift (Verhandlungssicher).
- Teamgeist und Kommunikationsstärke sowie eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise.

Was Sie erwarten können

- Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
- Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten
- Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Spitze der Hochfrequenzelektronik
- Eine enge Zusammenarbeit mit den institutseigenen Arbeitsgruppen auf den Gebieten der Schaltungsentwicklung bzw. Mess- und Aufbautechnik
- Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern
- Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
- Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
- Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen

Fragen zu dieser Ausschreibung und zum Bewerbungsprozess beantwortet Ihnen gerne:
Kathrin Escher
[email protected]

Fraunhofer IAF
Personalabteilung
Tullastraße 72
79108 Freiburg

Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 000  Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 2,9 Milliarden Euro.
Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund.
Entfalten Sie Ihr Potenzial als Wissenschaftler*in im Bereich der Bauelemententwicklung für die InGaAs-Höchstfrequenzelektronik und gestalten Sie die wegweisenden Technologien der Hochfrequenzelektronik von morgen!
Was Sie bei uns tun

- Zusammen mit Ihren Kolleg*innen aus der Technologie-Abteilung entwickeln Sie innovative Prozesse, um die Bauelementeigenschaften hinsichtlich Hochfrequenzeigenschaften, Leistungsdichte, Rauschen, Ausbeute und Zuverlässigkeit signifikant zu verbessern.
- Sie betreuen die Produktions-Waferdurchläufe im Rahmen unserer Kleinserienfertigung.
- Zudem akquirieren und leiten Sie, in Zusammenarbeit mit der Abteilung Mikroelektronik, zukunftsweisende nationale und internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte.

Was Sie mitbringen

- Sie haben ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung, idealerweise mit Promotion.
- Sie konnten bereits Erfahrung im Bereich der Halbleitertechnologie sammeln.
- Sie verfügen über gute Kenntnisse in den Materialwissenschaften und der Funktionsweise von elektronischen Halbleiterbauelementen.
- Sie zeichnen sich durch eine schnelle Einarbeitung in neue Problemstellungen und eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise aus. Sie verfügen über verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse, zeichnen sich durch Team- und Kommunikationsfähigkeit aus und bringen eine Leidenschaft für experimentelle Arbeit mit.

Was Sie erwarten können

- Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
- Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung wie auch interdisziplinäres Arbeiten
- Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Front der Hochfrequenzelektronik
- Eine enge Zusammenarbeit mit den institutseigenen Arbeitsgruppen auf dem Gebiet der Schaltungsentwicklung, Mess- und Aufbautechnik
- Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern
- Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
- Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
- Persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen

Fragen zu dieser Ausschreibung und zum Bewerbungsprozess beantwortet Ihnen gerne:
Kathrin Escher
[email protected]

Fraunhofer IAF
Personalabteilung
Tullastraße 72
79108 Freiburg

Die Fraunhofer-Gesellschaft betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie und Kommunikation im Vordergrund.
Ihre Aufgabe ist die Herstellung von integrierten elektronischen Schaltungen und optischen Bauelementen auf der Basis von Halbleitermaterialien. Der Schwerpunkt Ihrer Tätigkeit wird - gemäß Ihren Fähigkeiten - im Bereich Lithographie, Ätztechnik, Metallisierung oder Beschichtung sein. Zusätzlich führen Sie Prozesskontrollen durch und erstellen Dokumentationen.

Sie haben eine Ausbildung zum/zur Chemisch- oder Physikalisch-technischen Assistentin oder Mikrotechnologin bzw. eine vergleichbare Qualifikation abgeschlossen.
Zusätzlich konnten Sie Berufserfahrung in der Halbleitertechnologie, idealerweise in der Bauelementprozessierung, sammeln.
Sie sind bereit, regelmäßig bis 18 Uhr im Reinraum zu arbeiten.
Teamgeist, Engagement, Eigeninitiative und gute Deutschkenntnisse runden Ihr Profil ab.

Zusammenarbeit in einem motivierten und engagierten Team
Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten
Einbindung in ein Netzwerk von Fachexpertinnen und Kolleginnen, um voneinander zu lernen und sich gegenseitig zu inspirieren
Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote
Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates)
Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Kita-Platz-Kontingent sowie Beratungsleistungen im Bereich Homecare-Eldercare)
Ein Parkhaus mit kostenlosen Parkmöglichkeiten und E-Ladestationen sowie Fahrradstellplätzen
Attraktive Mitarbeiterrabatte (Fraunhofer Corporate Benefits)

Die Fraunhofer-Gesellschaft betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie und Kommunikation im Vordergrund.
Ihre Aufgabe ist die Herstellung von integrierten elektronischen Schaltungen und optischen Bauelementen auf der Basis von Halbleitermaterialien. Der Schwerpunkt Ihrer Tätigkeit wird - gemäß Ihren Fähigkeiten - im Bereich Lithographie, Ätztechnik, Metallisierung oder Beschichtung sein. Zusätzlich führen Sie Prozesskontrollen durch und erstellen Dokumentationen.

Sie haben eine Ausbildung zum/zur Chemisch- oder Physikalisch-technischen Assistentin oder Mikrotechnologin bzw. eine vergleichbare Qualifikation abgeschlossen.
Zusätzlich konnten Sie Berufserfahrung in der Halbleitertechnologie, idealerweise in der Bauelementprozessierung, sammeln.
Sie sind bereit, regelmäßig bis 18 Uhr im Reinraum zu arbeiten.
Teamgeist, Engagement, Eigeninitiative und gute Deutschkenntnisse runden Ihr Profil ab.

Zusammenarbeit in einem motivierten und engagierten Team
Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten
Einbindung in ein Netzwerk von Fachexpertinnen und Kolleginnen, um voneinander zu lernen und sich gegenseitig zu inspirieren
Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote
Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates)
Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Kita-Platz-Kontingent sowie Beratungsleistungen im Bereich Homecare-Eldercare)
Ein Parkhaus mit kostenlosen Parkmöglichkeiten und E-Ladestationen sowie Fahrradstellplätzen
Attraktive Mitarbeiterrabatte (Fraunhofer Corporate Benefits)

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III/V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund.
Was Sie bei uns tun
Aufgrund des stetig steigenden Bedarfs an extrem rauscharmer kryogener Ausleseelektronik für supraleitende Quantenbits und radioastronomische Empfängersysteme liegt der Schwerpunkt dieser Doktorarbeit auf der Analyse, Optimierung, messtechnischen Charakterisierung und dem Entwurf von ultra-rauscharmen integrierten kryogenen Mikrowellenschaltungen.Ziel der Arbeit ist die Charakterisierung und physikalische Modellierung des Rauschens von hochmodernen HEMTs bei kryogenen Temperaturen. Dabei kann ein Aspekt der Arbeit sich mit Entwurf und Analyse kryogener Verstärkerschaltungen basierend auf supraleitenden Netzwerken befassen. Diese Schaltungen verringern das Rauschen passiver Bauteile, um so den Rauschanteil der HEMTs besser auflösen zu können.
Idealerweise sollen aus den entwickelten Modellen mögliche Ansätze zu Technologie- oder Schaltungsoptimierungen resultieren, die das Rauschen kryogener HF-Schaltungen weiter verbessern. Die Implementierung und Analyse solcher Optimierungsansätze stützen die Validität des entwickelten Modellansatzes und runden die Arbeit ab.

Was Sie mitbringen

- Sie verfügen über ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) in Physik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung.
- Zudem bringen Sie erste Erfahrung auf dem Gebiet des HF-Schaltungsentwurfs und idealerweise zusätzlich der HF-Messtechnik und Kryotechnik mit.
- Sie sind versiert im Umgang mit Programmiersprachen (idealerweise Python) zur automatisierten Datenauswertung und Modellextraktion.
- Idealerweise haben Sie bereits Kenntnisse im Umgang mit Schaltungssimulations- und 3D-Feldsimulationsprogrammen wie z. B. Keysight Advanced Design System (ADS), CST Microwave Studio und Cadence Virtuoso.
- Darüber hinaus sind Sie in der Lage, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten und verfügen über eine selbstständige, wissenschaftliche Arbeitsweise.
- Nicht zuletzt zeichnen Sie sich durch gutes Englisch, ausgeprägte Team- und Kommunikationsfähigkeit sowie die Freude an experimenteller Arbeit aus.

Was Sie erwarten können

- Eine offene und teamorientierte Unternehmenskultur
- Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten
- Mitarbeit in nationalen und internationalen Projekten
- Enge Kontakte zur Industrie und zu öffentlichen Auftraggebern
- Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote
- Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein Zuschuss zum Jobticket sowie wöchentliche Sportangebote (z. B. Pilates)
- Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Beratungsleistungen im Bereich Home- und Eldercare)

Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne:
Kathrin Escher
[email protected]

Fraunhofer IAF
Personalabteilung
Tullastraße 72
79108 Freiburg

Die Fraunhofer-Gesellschaft betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie und Kommunikation im Vordergrund.
Ihre Aufgabe ist die Herstellung von integrierten elektronischen Schaltungen und optischen Bauelementen auf der Basis von Halbleitermaterialien. Der Schwerpunkt Ihrer Tätigkeit wird - gemäß Ihren Fähigkeiten - im Bereich Lithographie, Ätztechnik, Metallisierung oder Beschichtung sein. Zusätzlich führen Sie Prozesskontrollen durch und erstellen Dokumentationen.

Sie haben eine Ausbildung zum/zur Chemisch- oder Physikalisch-technischen Assistentin oder Mikrotechnologin bzw. eine vergleichbare Qualifikation abgeschlossen.
Zusätzlich konnten Sie Berufserfahrung in der Halbleitertechnologie, idealerweise in der Bauelementprozessierung, sammeln.
Sie sind bereit, regelmäßig bis 18 Uhr im Reinraum zu arbeiten.
Teamgeist, Engagement, Eigeninitiative und gute Deutschkenntnisse runden Ihr Profil ab.

Zusammenarbeit in einem motivierten und engagierten Team
Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten
Einbindung in ein Netzwerk von Fachexpertinnen und Kolleginnen, um voneinander zu lernen und sich gegenseitig zu inspirieren
Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote
Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates)
Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Kita-Platz-Kontingent sowie Beratungsleistungen im Bereich Homecare-Eldercare)
Ein Parkhaus mit kostenlosen Parkmöglichkeiten und E-Ladestationen sowie Fahrradstellplätzen
Attraktive Mitarbeiterrabatte (Fraunhofer Corporate Benefits)

Die Fraunhofer-Gesellschaft betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie und Kommunikation im Vordergrund.
Ihre Aufgabe ist die Herstellung von integrierten elektronischen Schaltungen und optischen Bauelementen auf der Basis von Halbleitermaterialien. Der Schwerpunkt Ihrer Tätigkeit wird - gemäß Ihren Fähigkeiten - im Bereich Lithographie, Ätztechnik, Metallisierung oder Beschichtung sein. Zusätzlich führen Sie Prozesskontrollen durch und erstellen Dokumentationen.

Sie haben eine Ausbildung zum/zur Chemisch- oder Physikalisch-technischen Assistentin oder Mikrotechnologin bzw. eine vergleichbare Qualifikation abgeschlossen.
Zusätzlich konnten Sie Berufserfahrung in der Halbleitertechnologie, idealerweise in der Bauelementprozessierung, sammeln.
Sie sind bereit, regelmäßig bis 18 Uhr im Reinraum zu arbeiten.
Teamgeist, Engagement, Eigeninitiative und gute Deutschkenntnisse runden Ihr Profil ab.

Zusammenarbeit in einem motivierten und engagierten Team
Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten
Einbindung in ein Netzwerk von Fachexpertinnen und Kolleginnen, um voneinander zu lernen und sich gegenseitig zu inspirieren
Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote
Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), ein vergünstigtes Jobticket für den ÖPNV sowie unterschiedliche Gesundheitsangebote (z. B. Pilates)
Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Kita-Platz-Kontingent sowie Beratungsleistungen im Bereich Homecare-Eldercare)
Ein Parkhaus mit kostenlosen Parkmöglichkeiten und E-Ladestationen sowie Fahrradstellplätzen
Attraktive Mitarbeiterrabatte (Fraunhofer Corporate Benefits)